韩国三育大学开发电阻开关薄膜材料 可用于下一代忆阻器[331字]572

忆阻器是一类能够保持其内阻的器件,与使用集成电路的传统器件相比,具有优越的性能。研究人员探索使用几种材料来制造这些器件,近年来过渡金属氧化物逐渐在这方面得到广泛应用。

(图片来源:韩国三育大学)

随着忆阻器在人工智能系统等不同领域的应用日益广泛,现在必须解决与数据保留、耐用性和大量电导状态等相关的多个问题。此外,单独制造这些器件耗费的时间很长,为了提高其性能和可靠性,也需要解决一些挑战性问题。

据外媒报道,最近,在韩国三育大学(Sahmyook University)Min Kyu Yang教授领导的一项研究中,研究人员开发出银(Ag)扩散硫系化合物薄膜,可用作忆阻器中的电阻开关材料。

2024-01-17


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